第三代半導(dǎo)體材料：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時(shí)代的主要材料。

起源時(shí)間：M國(guó)早在1993年就已經(jīng)研制出第一支氮化鎵的材料和器件。而我國(guó)最早的研究隊(duì)伍——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，在1995年也起步了該方面的研究。

重點(diǎn)：市場(chǎng)上從半年前炒氮化鎵的充電器時(shí)，市場(chǎng)的反應(yīng)一直不夠強(qiáng)烈，那是因?yàn)楫?dāng)時(shí)第三代半導(dǎo)體還沒(méi)有被列入國(guó)家“十四五”這個(gè)層級(jí)的戰(zhàn)略部署上，所以單憑氮化鎵這一個(gè)概念，是不足以支撐整個(gè)市場(chǎng)邏輯的！

發(fā)展現(xiàn)狀：在5G通信、新能源汽車(chē)、光伏逆變器等應(yīng)用需求的明確牽引下，目前，應(yīng)用領(lǐng)域的頭部企業(yè)已開(kāi)始使用第三代半導(dǎo)體技術(shù)，也進(jìn)一步提振了行業(yè)信心和堅(jiān)定對(duì)第三代半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)的投資。

性能升級(jí)：專(zhuān)業(yè)名詞咱們就不贅述了，通俗的說(shuō)，到了第三代半導(dǎo)體材料這兒，更好的化合物出現(xiàn)了，性能優(yōu)勢(shì)就在于耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導(dǎo)電性能更強(qiáng)、工作速度更快、工作損耗更低。

有一點(diǎn)我覺(jué)得需要單獨(dú)提一下：碳化硅與氮化鎵相比較，碳化硅的發(fā)展更早一些，技術(shù)成熟度也更高一些；兩者有一個(gè)很大的區(qū)別是熱導(dǎo)率：在高功率應(yīng)用中，碳化硅占據(jù)統(tǒng)治地位；氮化鎵具有更高的電子遷移率，因而能夠比碳化硅具有更高的開(kāi)關(guān)速度，所以在高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵具備優(yōu)勢(shì)。